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英特爾第四代Haswell智能酷睿處理器已于6月2日正式上市,首發型號是面向中高端及高端市場的酷睿 i5/i7產品。根據買新不買舊原則,今后我們購買的電腦首選方向也應該是Intel第四代的Haswell平臺。相信不少網友都有這樣的疑惑,最新的四代Haswel平臺與我們已經熟知的三代IVB平臺又有哪些不同,區別在那呢?,看這一代的處理器與上一代產品相比究竟有哪些改進。
Haswel與IVB處理器對比:前后兩代智能酷睿i5/i7詳細對比  ■全新22納米工藝架構 和上一代Ivy Bridge不同,這一代智能酷睿雖然同樣是22納米工藝,內部架構卻發生了翻天覆地的變化。由于整合了完整電壓調節器,Haswell可以做更加精細的電壓調節,待機頻率低至0.8GHz,這是上一代產品無法想象的;當然,Haswell開放了外頻調節,這也意味著K系列產品可以通過更深度的超頻來提升運算性能。
Ivy Bridge和Haswell處理器外觀對比
Ivy Bridge和Haswell背面外觀對比 如上圖,Ivy Bridge和Haswell處理器背面元件無論從排布還是數量上看,都與Ivy Bridge架構完全不同。 從CPU背面元件排布也可以看出這是一個全新CPU架構,不僅僅是元件排布不同,元件的數量也比Ivy Bridge架構少了許多。或許是為了突出“全新架構”這個概念,這一代酷睿產品連外包裝和Logo都換了。  ■由內到外,LOGO和外包裝同步更新 從Haswell架構開始,Intel啟用了新的產品Logo和外包裝。Logo圖標改成了現在大熱的“Win8風格”,去除了原來的陰影等立體效果,外包裝使用與Logo圖片一樣的天藍色。
Haswell第四代智能酷睿處理器啟用全新包裝
前后兩代Core i5/i7處理器參數對比 而且按照Intel的市場政策,“加量不加價”,用戶在新裝機時不會有選擇困難癥,只記得買新不買舊即可;那么第四代智能酷睿i5/i7比現有的i5-3570K、i7-3770K在性能上有哪些提升呢?我們一起來看看吧。
三代、四代酷睿CPU性能對比 與Ivy Bridge架構相比,i5-4670K、i5-4770K在同樣的測試環境下CPU性能提升在10%以內,進步幅度不算大,但好在價格與上一代產品基本持平,第四代智能酷睿的亮點在于接下來的核芯顯卡性能以及更加激進的功耗控制。
前后兩代Core i5/i7處理器性能對比
 
前后兩代Core i5/i7處理器多線程性能對比  ■3D性能提升:核芯顯卡對比 第四代智能酷睿桌面型號均整合了GT2級別HD Graphics 4600,具備20個EU單元,從測試的結果來看,HD Graphics 4600比上一代HD Graphics 4000性能大幅度提升約30%。核芯顯卡的升級,使得第四代智能酷睿終于能流暢玩耍一些輕量化單機游戲了,另外移動平臺上的處理器更整合40個EU單元的GT3級別核芯顯卡,讓人很期待屆時新一代超極本的市場表現。
前后兩代Core i5/i7核心顯卡性能對比
 
前后兩代Core i5/i7游戲性能對比  ■激進的節電方案:功耗對比 由于Haswell整合了完整的電壓調節器,這一代智能酷睿產品可以進行更加精細的電壓調節,空閑時CPU頻率下降到0.8GHz,大大降低了平臺功耗;而滿載時的功耗表現也讓人滿意。
前后兩代酷睿i5/i7處理器功耗對比 小結:第四代智能酷睿處理器的CPU性能和上一代產品差距不大,亮點在于整合完整電壓調節器,使得CPU的電流控制更加精確,可以大幅度降低待機功耗,另外也可以進行更加精細的超頻,而且按照Intel的“加量不加價”“新品上市舊型號退市”的慣例,預計過一陣子主板鋪貨完成后對新裝機用戶不會有太大影響。 Haswell的主要進步表現在新一代核芯顯卡上面,從測試可以看到HD Graphics 4600有了將近30%的性能提升(均搭配DDR3-1600內存測試),3D圖形表現的大幅度進步使得HD Graphics 4600可以流暢運行輕量化單機游戲以及大部分網絡游戲。 功耗上,第四代智能酷睿的表現沒有讓大家失望,無論待機還是滿載功耗都比IVB平臺要低。得益于優秀的22納米工藝,現在Intel處理器在功耗控制能力上已經遙遙領先了。 除此之外,與Haswell配套的8系列主板也增添了不少新特性,包括針對SSD性能優化的新版RST驅動、動態磁盤加速等功能,有興趣的朋友可以參考下一頁擴展閱讀部分。 第四代Core i系列與上一代Core i有什么不同?1、22納米全新架構以及新一代核芯顯卡 2013年是Intel“Tick-Tock”路線中的“Tock”年,按照Intel的說法,Haswell 處理器相比起IVB架構雖然同樣為22納米,但內部架構已經完全不同,是一個全新的體系,這一點從i7-4770K背 部元件的排布就可以看出來,前后兩代產品有這明顯差異。
  在SNB和IVB上核顯都分為GT1和GT2兩種,SNB是核顯2000和核顯3000,IVB是核顯2500和核顯4000. Haswell核顯一共分為4種,GT1、GT2、GT3和GT3e,其中GT3又按功耗分兩種,其中 高功耗的GT3和GT3e又名“銳炬”,只不過桌面平臺就無緣相見了。
Haswell的新一代核芯顯卡 新核顯OpenCL支持明顯改進,并且最高性能據稱可以達到GT640水平,為了強化核顯性能,Intel又在GT3e上采用了嵌入式內存,為此甚至不惜以提升 TDP為代價。 2、CPU其他架構及功能調整●CPU核心整合了VR Haswell整合了VR,也就是說以往主板的供電模塊。Intel這種整合VR采用PowerCell架構設計,性能超越傳統設計,簡化了主板的供電設計,并優化了供電的可控性、穩定性和能效,為節能控制和超頻提供了更大的提升空間。
第四代Haswell處理器主要改進 ●引入TSX事務內存組件 Haswell引進了類似甲骨文、IBM等服務器CPU的TSX事務內存組件,能夠自動優化基于“鎖” 的程序轉變成基于“事務”的程序,并且提供了新的編程選項,簡單來說就是簡化了多核編程、優化了多核處理的性能,讓未來核心數的增加能帶來更明顯的性能提升。 這是硬件廠商首次在主流級產品上整合這種特性,有分析指這個組件可能是為了優化微軟.NET或者安卓Dalvik虛擬機的執行效率,未來可能會將這個特性引進到ATOM上。 ●采用新的待機策略 Haswell新增了C7待機模式,最低電流只有0.05A,并且待機頻率由1.6GHz縮減到800MHz,還不到1GHz,非常激進,節能降溫效果更明顯。 ●更靈活的外頻、倍頻支持 SNB/IVB基本沒有外頻超頻能力,而Haswell的外頻設計有點接近SNB-E,有幾檔外頻可選,可自由調節,目前已經有玩家成功超頻到170MHz外頻。 K系列Haswell的最高倍頻從56提升到了80,讓液氮超頻玩家有機會挑戰更高的極限頻率。 ●調整的睿頻策略 Haswell微調了睿頻策略,當用戶關閉睿頻時,CPU會保持在最高的睿頻頻率,至于是全核心最高頻率還是單核心最高頻率,目前還說不定。 3、8系列主板芯片組詳情Intel 8系列芯片組主板上市計劃 Haswell處理器全新配套8系列主板,改用LGA1150接口,不兼容以 往的CPU。擁有以下特點:1、I/O性能優化,SATA3.0, USB3.0接口數量增加到6個;2、管理性能與安全性能更高;3、儲存和響應能力提高,RST驅動得到增強,針對SSD性能進行優化;4、平臺強化,使用更小的芯片封裝,TDP減少,更加節能。
第四代Haswell處理器需要全新的8系列主板 上圖是Z87/H87/H81的功能對比,這一份資料顯示,只有Z87芯片組才能支持2x8或者1x8+2x4多卡家 伙/SLI,H87/H81只支持單卡,而且H81只能支持到PCI-E 2.0。此外在SATA、USB接口數量和RST功能的支持上也 有所不同。值得欣慰的是即便是定位入門的H81芯片組也具備2個USB3.0與2個SATA3.0接口,Intel芯片組終于全 面跨入3.0時代了。
2013年Intel 8系列芯片組的詳細規格對比 4、8系列主板新增功能 Intel快速儲存技術介紹 ●快速儲存技術(Rapid Storage Technology) 8系列芯片組主板中支持RST 12.0,增加了以下新特性:1、高速同步:使用內存緩沖數據來提高磁盤I/O性能; 2、動態磁盤加速:根據負載及電源策略動態調節磁盤I/O性能;3、UEFI快速啟動:BIOS快速啟動優化,令EFI驅動可以在最多100毫秒內載入 。
8系列主板新增功能 ●動態磁盤加速技術(Dynamic Storage Accelerator) Intel的動態儲存加速(Dynamic Storage Accelerator)也就是早期曝光過 的“Lake Tiny”功能,可以說是快速儲存技術(Rapid Storage Technology)的升級版,可以根據 磁盤負載和電源策略動態調節,最高可以提升25%的I/O性能。目前這一技術只可以在Z87平臺開啟,而且必須使 用RST 12.0驅動以及Windows7以上的系統。 ●快速響應功能(Smart Response) Intel的智能響應功能,簡單點說就是把SSD當做機械硬盤緩存,通過自動緩 存常用軟件來提高系統的性能與響應能力。在8系列主板里,開啟智能響應功能變得十分簡單,通過RST驅動可以 有圖形化控制界面,SSD可以即插即用。

Haswel與IVB處理器對比:前后兩代智能酷睿i5/i7詳細對比

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